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申请/专利权人：江苏易矽科技有限公司;江苏捷捷微电子股份有限公司
摘要：本发明涉及半导体功率器件领域，具体说是一种带有超结结构的屏蔽栅IGBT。它包括第一导电类型的半导体衬底，半导体衬底的正面设置有若干个元胞，所述元胞中至少有一个深沟槽，深沟槽内有屏蔽栅结构，深沟槽的两侧有离子注入区及接触孔。其特点是，所述深沟槽下方有超结结构电荷平衡区，超结结构电荷平衡区含有两层及两层以上第一导电类型的结构和第二导电类型的结构，相连两层结构的导电类型不同，且最内层为第二导电类型的结构，其包围在深沟槽外侧。相连两层结构间，外侧的结构包围在内侧的结构外侧，且外侧的结构顶部不超过内侧的结构顶部。该IGBT的可靠性高，开关损耗低。
主权项：1.一种带有超结结构的屏蔽栅IGBT，包括第一导电类型的半导体衬底，半导体衬底的正面设置有若干个元胞，所述元胞中至少有一个深沟槽，深沟槽内有屏蔽栅结构，深沟槽的两侧有离子注入区及接触孔；其特征在于，所述深沟槽下方有超结结构电荷平衡区，超结结构电荷平衡区含有两层及两层以上第一导电类型的结构，超结结构电荷平衡区含有两层及两层以上第二导电类型的结构，相连两层结构的导电类型不同，且最内层为第二导电类型的结构，其包围在深沟槽外侧；相连两层结构间，外侧的结构包围在内侧的结构外侧，且外侧的结构顶部不超过内侧的结构顶部，最内层的结构仅包围在深沟槽内与IGBT的发射极相连的那段多晶硅填充区下部。
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权利要求：
百度查询： 江苏易矽科技有限公司 江苏捷捷微电子股份有限公司 一种带有超结结构的屏蔽栅IGBT
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