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申请/专利权人：上海芯飞睿科技有限公司
摘要：本发明涉及晶体材料热处理领域，公开了一种大尺寸硅酸钇镥晶体的原位退火工艺，其特征在于，通过提拉法生长大尺寸硅酸钇镥晶体结束后，硅酸钇镥晶体保持原位，保持晶体炉内真空度，经过六个阶段的退火，当退火温度达到800℃时，对所述晶体炉的炉膛内进行抽真空处理后，继续退火处理，直至所述炉膛内温度降至与室温一致，获得没有开裂的高品质硅酸钇镥晶体，减少晶体内部热应力及缺陷,提高硅酸钇镥晶体的整体质量及成品率。
主权项：1.一种大尺寸硅酸钇镥晶体的原位退火工艺，其特征在于，通过提拉法生长大尺寸硅酸钇镥晶体结束后，硅酸钇镥晶体保持原位，保持晶体炉内真空度，退火工艺包括以下六个阶段：S1：保持晶体炉内的温度2h；S2：降低加热功率，使晶体炉以5-10℃h速率降温5-10h；S3：降低加热功率，使晶体炉以10-15℃h速率降温5-10h；S4：降低加热功率，使晶体炉以15-20℃h速率降温10-15h；S5：降低加热功率，使晶体炉以25-30℃h速率降温20-25h；S6：降低加热功率，使晶体炉以30-35℃h速率降温35-40h，当退火温度达到800℃时，对所述晶体炉的炉膛内进行抽真空处理后，继续退火处理，直至所述炉膛内温度降至与室温一致。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海芯飞睿科技有限公司 一种大尺寸硅酸钇镥晶体的原位退火工艺
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