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申请/专利权人：江淮前沿技术协同创新中心;安徽大学

摘要：一种14T抗辐射SRAM存储单元电路与工作方法，属于集成电路存储器领域，解决现有技术在辐射环境下，SRAM容易受到电离辐射的影响而导致存储单元的临时或永久性故障的问题；包括8个PMOS晶体管和6个NMOS晶体管，PMOS管P5的栅极与PMOS管P6的漏极电连接，PMOS管P5的漏极与PMOS管P6的栅极电连接，形成交叉耦合结构，同时，第一冗余节点与第二冗余节点采用双下拉管结构且下拉管分别由不同反馈进行控制；本发明实现了可完全抵抗单个节点处发生数据翻转，同时，在双节点同时发生数据翻转时仍能恢复到初始状态。

主权项：1.一种14T抗辐射SRAM存储单元电路，其特征在于，包括：8个PMOS晶体管、6个NMOS晶体管，所述8个PMOS晶体管依次记为P1-P8，6个所述NMOS晶体管依次记为N1-N6，其中：NMOS晶体管N1的源极与第一位线BL电连接；NMOS晶体管N1的漏极与NMOS晶体管N3的漏极、PMOS晶体管P3的源极、PMOS晶体管P7的栅极电连接；NMOS晶体管N1的栅极与第一字线WL电连接；NMOS晶体管N3的栅极与PMOS晶体管P3的栅极、PMOS晶体管P6的源极、PMOS晶体管P2的漏极、PMOS晶体管P8的漏极、PMOS晶体管P5的栅极、NMOS晶体管N5的栅极电连接；NMOS晶体管N3的源极与NMOS晶体管N6的漏极、PMOS晶体管P8的源极电连接；NMOS晶体管N5的漏极与PMOS晶体管P7的源极、NMOS晶体管N4的源极电连接；NMOS晶体管N5的源极接GND；NMOS晶体管N6的栅极与PMOS晶体管P6的栅极、PMOS晶体管P5的源极、PMOS晶体管P7的漏极、PMOS晶体管P1的漏极、PMOS晶体管P4的栅极、NMOS晶体管N4的栅极电连接；NMOS晶体管N6的源极接GND；NMOS晶体管N4的漏极与NMOS晶体管N2的漏极、PMOS晶体管P4的源极、PMOS晶体管P8的栅极电连接；NMOS晶体管N2的源极与第二位线BLB电连接；NMOS晶体管N2的栅极与第一字线WL电连接；PMOS晶体管P1的源极与第一位线BL电连接；PMOS晶体管P1的栅极与第二字线WWL电连接；PMOS晶体管P3的漏极与PMOS晶体管P5的漏极、PMOS晶体管P6的漏极、PMOS晶体管P4的漏极电连接接VDD；PMOS晶体管P2的栅极与第二字线WWL电连接；PMOS晶体管P2的源极与第二位线BLB电连接。

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