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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：存储器单元包括第一有源区域和第二有源区域以及第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构在形成第一下拉晶体管和第一上拉晶体管中分别接合第一有源区域和第二有源区域，并且第二栅极结构在形成第二下拉晶体管和第二上拉晶体管中分别接合第一有源区域和第二有源区域。第一前侧源极漏极接触件设置在第一下拉晶体管和第二下拉晶体管的第一共用源极漏极区域之上并且电耦合至第一下拉晶体管和第二下拉晶体管的第一共用源极漏极区域。第一背侧通孔设置在第一共用源极漏极区域下方并且电耦合至第一共用源极漏极区域。第一背侧金属线设置在第一背侧通孔下方并且电耦合至第一背侧通孔。本申请的实施例还涉及存储器阵列。
主权项：1.一种存储器单元，包括：第一有源区域和第二有源区域，其中，所述第一有源区域和所述第二有源区域的每个在第一方向上纵向延伸；第一栅极结构和第二栅极结构，其中，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的每个在垂直于所述第一方向的第二方向上纵向延伸，所述第一栅极结构在形成第一下拉晶体管和第一上拉晶体管中分别接合所述第一有源区域和所述第二有源区域，并且所述第二栅极结构在形成第二下拉晶体管和第二上拉晶体管中分别接合所述第一有源区域和所述第二有源区域；第一前侧源极漏极接触件，设置在所述第一下拉晶体管和所述第二下拉晶体管的第一共用源极漏极区域之上并且电耦合至所述第一下拉晶体管和所述第二下拉晶体管的第一共用源极漏极区域，其中，所述第一共用源极漏极区域设置在所述第一有源区域上；第一背侧通孔，设置在所述第一共用源极漏极区域下方并且电耦合至所述第一共用源极漏极区域；以及第一背侧金属线，设置在所述第一背侧通孔下方并且电耦合至所述第一背侧通孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 存储器单元和存储器阵列
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