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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：存储器单元包括第一、第二有源区及第一、第二栅极结构。第一栅极结构接合第一有源区而形成第一晶体管，第二栅极结构接合第二有源区而形成第二晶体管。第一、第二晶体管具有相同的导电类型。存储器单元还包括在第一晶体管的源极区上的第一外延部件、在第二晶体管的源极区上的第二外延部件、直接在第一外延部件上方并与其电耦合的第一前侧接触件、直接在第二外延部件上方并与其电耦合的第二前侧接触件，以及直接在第一、第二外延部件中的一个外延部件下方并与其电耦合的第一背侧通孔，第一、第二外延部件中的另一个外延部件不具有直接位于另一个外延部件下方并与另一个外延部件电耦合的背侧通孔。本申请的实施例还公开了半导体结构及存储器阵列。
主权项：1.一种存储器单元，包括：第一有源区和第二有源区，各自沿第一方向纵向延伸；第一栅极结构和第二栅极结构，各自沿垂直于所述第一方向的第二方向纵向延伸，其中，所述第一栅极结构接合所述第一有源区而形成第一晶体管，所述第二栅极结构接合所述第二有源区而形成第二晶体管，并且所述第一晶体管和所述第二晶体管具有相同的导电类型；第一外延部件，设置在所述第一晶体管的源极区上；第二外延部件，设置在所述第二晶体管的源极区上；第一前侧接触件，直接位于所述第一外延部件上方并与所述第一外延部件电耦合；第二前侧接触件，直接位于所述第二外延部件上方并与所述第二外延部件电耦合；以及第一背侧通孔，直接位于所述第一外延部件和所述第二外延部件中的一个外延部件下方并所述一个外延部件电耦合，其中，所述第一外延部件和所述第二外延部件中的另一个外延部件不具有直接位于所述另一个外延部件下方并与所述另一个外延部件电耦合的背侧通孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 存储器单元、半导体结构及存储器阵列
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