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申请/专利权人：富士电机株式会社
摘要：本发明提供抑制向构成装置的各构件产生不需要的应力的半导体装置及半导体的制造方法。半导体装置（10）具备基底板（2）、半导体元件（1）、保护构件（pr1a、pr1b、pr2a、pr2b）以及冷却体（3）。基底板（2）具有碳化硅形成体（2a）和金属填充体（2b1、2b2），在金属填充体（2b1、2b2）设置有贯通孔。半导体元件（1）隔着绝缘基板（12）而搭载于碳化硅形成体（2a）的上表面。保护构件（pr1a、pr1b、pr2a、pr2b）形成于金属填充体（2b1、2b2）的表面，并具有比碳化硅形成体（2a）的硬度低的硬度。冷却体（3）抵接于基底板（2）的底面侧并通过贯通于贯通孔的螺钉（sc1、sc2）而被紧固于基底板（2）。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，具备：基底板，其具有碳化硅形成体和金属填充体，在所述金属填充体上设置有贯通孔；半导体元件，其隔着绝缘基板搭载于所述基底板的上表面；保护构件，其形成于所述金属填充体的表面，并具有比所述碳化硅形成体的硬度低的硬度；以及冷却体，其抵接于所述基底板的底面侧并通过贯通于所述贯通孔的螺钉而被紧固于所述基底板。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 富士电机株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法
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