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申请/专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要：提供具有较厚的铜层且高性能的半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备：铜层，具有下表面、上表面、第一侧面以及第二侧面，第一侧面与第二侧面之间的第一距离比下表面与上表面之间的第二距离大；第一金属层，与下表面、第一侧面以及第二侧面相接，包含与铜不同的第一金属材料；以及与上表面相接且包含与铜不同的第二金属材料的第二金属层。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，具备：铜层，具有下表面、上表面、第一侧面以及第二侧面，所述第一侧面与所述第二侧面之间的第一距离比所述下表面与所述上表面之间的第二距离大；第一金属层，与所述下表面、所述第一侧面以及所述第二侧面相接，包含与铜不同的第一金属材料；以及第二金属层，与所述上表面相接，包含与铜不同的第二金属材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社东芝 东芝电子元件及存储装置株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法
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