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申请/专利权人:株式会社日本显示器
摘要:能够实现高迁移率且可靠性高的半导体装置的半导体装置,其具备:设置在基板之上的以铝为主成分的氧化金属层;设置在前述氧化金属层之上的氧化物半导体层;与前述氧化物半导体层对置的栅电极;和前述氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层。前述氧化物半导体层含有包括铟在内的2种以上的金属,前述2种以上的金属中的铟的比率为50%以上。
主权项:1.半导体装置,其具备:设置在基板之上的以铝为主成分的氧化金属层;设置在所述氧化金属层之上的氧化物半导体层;与所述氧化物半导体层对置的栅电极;和所述氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层,其中,所述氧化物半导体层含有包括铟在内的2种以上的金属,所述2种以上的金属中的铟的比率为50%以上。
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