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申请/专利权人：ASMIP私人控股有限公司
摘要：公开了一种用于形成具有硅的层的方法，该层可以通过以下来形成：将衬底定位在处理室内；将衬底加热到300至500℃之间的第一温度并且将第一前体引入处理室以沉积第一层。可以将衬底加热到400至600℃之间的第二温度；以及可以将第二前体引入处理室以沉积第二层，第一前体和第二前体可以包括硅原子，并且第一前体可以比第二前体具有每分子更多的硅原子。
主权项：1.一种用于在衬底上形成设置有硅的层的方法，包括：将衬底定位在处理室内；将衬底加热到300至500℃之间的第一温度；将第一前体引入处理室以沉积第一层；将衬底加热到400至600℃之间的第二温度；以及将第二前体引入处理室以沉积第二层，其中，所述第一前体和第二前体包括硅原子，并且第一前体比第二前体具有每分子更多的硅原子；以及将衬底加热到600和1200℃之间的第三温度，以退火所述第一和第二层，在将所述处理室加热到第三温度之后，第一层和或第二层包括外延晶粒。
全文数据：
权利要求：
百度查询： ASMIP私人控股有限公司 用于形成设置有硅的层的方法
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