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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：各种实施例包括管芯结构和形成管芯结构的方法。在实施例中，半导体器件包括：下部衬底；上部集成电路管芯，以电介质对电介质接合并且以金属对金属接合而接合到所述下部衬底，所述上部集成电路管芯包括半导体材料；缓冲层，位于所述上部集成电路管芯周围，所述缓冲层包括应力降低化合物，所述应力降低化合物的热膨胀系数大于所述半导体材料的热膨胀系数；以及密封剂，位于所述缓冲层和所述上部集成电路管芯周围，所述密封剂包括模塑料，所述模塑料的热膨胀系数大于所述应力降低化合物的所述热膨胀系数。本申请的实施例还提供了形成半导体器件的方法。
主权项：1.一种半导体器件，包括：下部衬底；上部集成电路管芯，以电介质对电介质接合并且以金属对金属接合而接合到所述下部衬底，所述上部集成电路管芯包括半导体材料；缓冲层，位于所述上部集成电路管芯周围，所述缓冲层包括应力降低化合物，所述应力降低化合物的热膨胀系数大于所述半导体材料的热膨胀系数；以及密封剂，位于所述缓冲层和所述上部集成电路管芯周围，所述密封剂包括模塑料，所述模塑料的热膨胀系数大于所述应力降低化合物的所述热膨胀系数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及其形成方法
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