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申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司
摘要:一种形成半导体器件的方法包括在第一衬底上方形成第一接合焊盘,其中第一接合焊盘包括铁磁材料的层,其中每个第一接合焊盘产生具有第一定向的相应磁场;以及使用金属至金属接合将第二接合焊盘接合至第一接合焊盘。本公开的实施例还涉及半导体器件。
主权项:1.一种形成半导体器件的方法,包括:在第一衬底上方形成第一接合焊盘,其中,所述第一接合焊盘包括铁磁材料的层,其中,每个所述第一接合焊盘产生具有第一定向的相应磁场;以及使用金属至金属接合将第二接合焊盘接合至所述第一接合焊盘。
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百度查询: 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及其形成方法
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