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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：根据本申请的实施例，提供了一种形成封装件的方法，包括蚀刻晶圆的部分以在晶圆的划线中形成第一沟槽，其中划线位于晶圆的第一器件管芯和第二器件管芯之间。在蚀刻之后，划线中的晶圆的部分的顶面位于第一沟槽下面并且暴露于第一沟槽，并且第一沟槽位于晶圆的相对侧壁之间。然后执行激光开槽工艺以形成第二沟槽，第二沟槽从顶面进一步向下延伸到晶圆中，并且第二沟槽横向地位于晶圆的相对侧壁之间。然后执行管芯锯切工艺以锯切晶圆。管芯锯切工艺从第二沟槽的底部执行，并且管芯锯切工艺导致第一器件管芯与第二器件管芯分离。根据本申请的其他实施例，还提供了封装件。
主权项：1.一种形成封装件的方法，包括：蚀刻晶圆的部分以在所述晶圆的划线中形成第一沟槽，其中，所述划线位于所述晶圆的第一器件管芯和第二器件管芯之间，并且其中，在所述蚀刻之后，所述划线中的所述晶圆的所述部分的顶面位于所述第一沟槽下面并且暴露于所述第一沟槽，并且所述第一沟槽位于所述晶圆的相对侧壁之间；执行激光开槽工艺以形成第二沟槽，所述第二沟槽从所述顶面进一步向下延伸到所述晶圆中，其中，所述第二沟槽横向地位于所述晶圆的所述相对侧壁之间；以及执行管芯锯切工艺以锯切所述晶圆，其中，所述管芯锯切工艺从所述第二沟槽的底部执行，并且其中，所述管芯锯切工艺导致所述第一器件管芯与所述第二器件管芯分离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 封装件及其形成方法
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