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申请/专利权人：散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
摘要：本发明公开了一种低损耗电子直线加速结构，涉及电子直线加速；为了降低电子加速结构的功率损耗；包括外导体，所述外导体两端固定有端盘，且外导体和端盘均为铜制，外导体和端盘之间形成一个封闭的谐振腔体；所述外导体和端盘之间的谐振腔体内部设置有陶瓷介质体，所述陶瓷介质体包括中间盘片和中间导体，所述中间盘片内置的方式固定于外导体内壁，且中间导体和中间盘片之间交错设置，所述中间导体两端均固定有内导体，且内导体中心处和中间导体中心处开设有用于电子束通过的束流孔。本发明利用TM020加速模式电磁场的分布和介质层的微波反射将加速模式的电磁场集中在低损耗的陶瓷介质体中，减小外导体的铜损耗。
主权项：1.一种低损耗电子直线加速结构，包括外导体1，其特征是，所述外导体1两端固定有端盘2，且外导体1和端盘2均为铜制，外导体1和端盘2之间形成一个封闭的谐振腔体；所述外导体1和端盘2之间的谐振腔体内部设置有陶瓷介质体，所述陶瓷介质体包括中间盘片4和中间导体6，所述中间盘片4内置的方式固定于外导体1内壁，且中间导体6和中间盘片4之间交错设置，所述中间导体6两端均固定有内导体3，且内导体3中心处和中间导体6中心处开设有用于电子束通过的束流孔5。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 散裂中子源科学中心 中国科学院高能物理研究所 一种低损耗电子直线加速结构
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