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申请/专利权人:广东中图半导体科技股份有限公司
摘要:本公开实施例提供一种氮化铝薄膜的制备方法,包括:在衬底上制备氮化铝薄膜半成品;采用第一物理气相沉积工艺在半成品上继续沉积氮化铝,得到氮化铝薄膜成品;所述第一物理气相沉积工艺中氮气和氩气的体积流量比大于95:5。在氮气流量百分比极高的条件下,溅射铝原子在沉积至氮化铝薄膜表面之前与氮气(氮原子)形成微小晶粒,微小晶粒以均匀细化沉积的方式在氮化铝薄膜表面沉积,使得氮化铝薄膜表面呈现均匀絮状结构。前述的絮状结构可以更好地适配外延层的生长,便于外延重结晶,减小外延层生长位错及应力,提高外延质量。
主权项:1.一种氮化铝薄膜的制备方法,其特征在于,包括:在衬底上制备氮化铝薄膜半成品;采用第一物理气相沉积工艺在所述半成品上继续沉积氮化铝,得到氮化铝薄膜成品;所述第一物理气相沉积工艺中氮气和氩气的体积流量比大于95:5。
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