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申请/专利权人：江西省晶能半导体有限公司
摘要：本发明提供的芯片级LED芯片及其制备方法，其中，芯片级LED芯片中包括：LED芯片的出光面上形成有光转换层；光转换层由高分子材料中均匀混合量子点结构制备而成，量子点结构由PET或PI包裹量子点颗粒得到；具有较强的稳定性，有效地抵抗外部环境对量子点的影响，例如避免空气中的水和氧等可能对量子点产生不良影响的因素；并且相比于传统的整面覆盖在背光模组表面的荧光膜来说，该这种光转换层可以具有更薄的厚度。这不仅使得芯片级LED芯片更加轻便，还为背光模组的薄型化提供了可能；当这种芯片级LED芯片应用于背光模组中时，由于其超薄的特性，可以大大减少背光模组的整体厚度，使其更加轻薄。
主权项：1.一种芯片级LED芯片，其特征在于，所述LED芯片的出光面上形成有光转换层；所述光转换层由高分子材料中均匀混合量子点结构制备而成，所述量子点结构由高分子聚合物包裹量子点颗粒得到，所述高分子聚合物为PET或PI。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西省晶能半导体有限公司 芯片级LED芯片及其制备方法
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