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申请/专利权人:中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要:本发明提供一种GaAs工艺微波延时电路结构及其工作方法,所述GaAs工艺微波延时电路结构,其特征在于,包括输入端口抽头1、输出端口抽头2、第一直通路微带线3、第二直通路微带线4;输入端口抽头1分别经第一直通路微带线3和第二直通路微带线4连接输出端口抽头2;在第一直通路微带线3上串联有第一FET开关管5;在第二直通路微带线4上并联有第二FET开关管6和大尺寸开路微带线7。本发明通过用大尺寸开路微带线等效电容到地,将延时电路使用小尺寸电容转化为使用大尺寸带线,减小了加工精度误差带来的影响,同时从电容制作转为带线制作,降低了工艺制作难度。
主权项:1.一种GaAs工艺微波延时电路结构,其特征在于,包括输入端口抽头1、输出端口抽头2、第一直通路微带线3、第二直通路微带线4;输入端口抽头1分别经第一直通路微带线3和第二直通路微带线4连接输出端口抽头2;在第一直通路微带线3上串联有第一FET开关管5;在第二直通路微带线4上并联有第二FET开关管6和大尺寸开路微带线7。
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权利要求:
百度查询: 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种GaAs工艺微波延时电路结构及其工作方法
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