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申请/专利权人：烟台芯扬聚阵微电子有限公司

摘要：本发明涉及一种芯片集成电感Q值改善电路。本发明包括磁能量补偿单元和有源负载补偿单元。所述磁能量补偿单元为交叉耦合差分对，包括第一初级电感、第二初级电感、第一次级电感、第二次级电感；以及在初级电感和次级电感中间加入的磁性增强材料；所述有源负载补偿单元为交叉耦合差分对，形成负跨导产生单元，所述的负跨导产生单元用于降低初级电感的寄生电阻，提高初级电感的Q值。本发明中的次级电感的能量通过磁耦合到初级电感中，可补偿第初级电感由于寄生电阻损失的能量，以提高初级电感的Q值，同时通过加入磁性增强材料，提高了磁能量耦合补偿效果，进一步提高了初级电感的Q值。

主权项：1.一种芯片集成电感Q值改善电路，包括磁能量补偿单元和有源负载补偿单元，其特征在于：所述磁能量补偿单元为交叉耦合差分对，包括第一初级电感LN1、第二初级电感LP1、第一次级电感LN2、第二次级电感LP2、第一晶体管MN1和第二晶体管MP1；以及在第一初级电感LN1和第一次级电感LN2中间加入的磁性增强材料MM1，第二初级电感LP1和第二次级电感LP2中间加入的中间加入的磁性增强材料MM2，所述的磁性增强材料MM1用于提高第一初级电感LN1的Q值，所述的磁性增强材料MM2用于提高第二初级电感LP1的Q值；其中第一初级电感LN1一端接输入信号IN，第一初级电感LN1的另外一端与第一晶体管MN1的源极、第二晶体管MP1的栅极相连接；第一晶体管MN1的漏极接第一次级电感LN2的一端，第一次级电感LN2的另一端接电源；第一晶体管MN1的栅极与第二初级电感LP1的一端、第二晶体管MP1的源极相连接；第二初级电感LP1的另一端接输入信号IP，第二晶体管MP1的漏极与第二次级电感LP2的一端连接，第二次级电感LP2的另一端接电源；所述的第一次级电感LN2用于补偿第一初级电感LN1由于寄生电阻损失的能量，所述的第二次级电感LP2用于补偿第二初级电感LP1由于寄生电阻损失的能量；所述有源负载补偿单元为交叉耦合差分对，形成负跨导产生单元，所述的负跨导产生单元用于降低初级电感的寄生电阻，提高初级电感的Q值；所述有源负载补偿单元包括第三晶体管ML1、第一负载电感LL1、第四晶体管ML2、第二负载电感LL2以及电流源；其中第三晶体管ML1的源极、第四晶体管ML2的栅极与第一晶体管MN1的源极连接；第三晶体管ML1的栅极、第四晶体管ML2的源极与第二晶体管MP1的源极连接；第一负载电感LL1的一端连接第三晶体管ML1的漏极，第二负载电感LL2的一端连接第四晶体管ML2的漏极；第一负载电感LL1的另一端、第二负载电感LL2的另一端接电流源。

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