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申请/专利权人：北京炎黄国芯科技有限公司
摘要：本发明公开了一种用于高压到低压的电平转换电路，主要解决现有电平转换电路较大的传输延时导致其无法实现可靠的电平转换问题。该电路包括MOS管M1~MOS管M12和反相器INV1；将多个MOS管进行交叉耦合结构的连接输入信号依次通过输入反相器电路、电平转换电路和输出反相器电路后，实现信号由高压到低压的转换。本发明采用低阈值NMOS管拓宽了电压范围；采用使能控制降低了电路静态功耗，减少了电路中PMOS管的受压，从而利用PMOS管改善响应速度提高转换速率，提升了电平转换电路工作的稳定性。因此，适宜推广应用。
主权项：1.一种用于高压到低压的电平转换电路，其特征在于，包括MOS管M1～MOS管M12和反相器INV1、反相器INV2；所述反相器INV1的输入端作为电平信号的输入端，MOS管M1的栅极与源极及MOS管M2的栅极相连后与反相器INV1的输出端相连，MOS管M1的漏极与MOS管M2的漏极相连，MOS管M2的源极与MOS管M6的源极相连，MOS管M5、MOS管M8的栅极均与MOS管M2的源极相连，MOS管M4的源极与MOS管M5的漏极相连，MOS管M3的漏极与MOS管M4的漏极相连，MOS管M6、MOS管M7的栅极均与MOS管M4的栅极相连，MOS管M5的漏极与MOS管M6的漏极相连，MOS管M7的漏极与MOS管M8的漏极相连，MOS管M9、MOS管M10的栅极均与MOS管M1的漏极相连，MOS管M9的漏极与MOS管M10的漏极相连，MOS管M10的源极与MOS管M8的栅极相连，MOS管M11、MOS管M12的栅极均与MOS管M3的漏极相连，MOS管M11的漏极与MOS管M12的漏极相连，MOS管M12的源极与MOS管M8的源极相连；MOS管M3、MOS管M9、MOS管M11的源极均接地，MOS管M9的漏极、MOS管M10的漏极相连后与反相器INV2的输入端相连，反相器INV2的输出端作为电平信号的输出端OUT，MOS管M3的栅极、MOS管M4的栅极相连后作为使能信号的输入端EN。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京炎黄国芯科技有限公司 一种用于高压到低压的电平转换电路
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