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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种直显LED芯片及制备方法，该制备方法包括：在GaAs衬底之上依次生长GaAs缓冲层、DBR层、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层与GaP层；在GaP层远离P型半导体的一侧表面制作ITO层；在ITO层远离GaP层的一侧表面制作P‑Pad层，P‑Pad层环绕于ITO层的边缘；在ITO层远离GaP层的一侧表面、P‑Pad层以内区域生长AlGaAs膜层；对AlGaAs膜层进行光刻与蚀刻以得到多个宽度相等的方形图形，以制作得到用于控制芯片发光角度的光栅结构层；光栅结构层中单个方形图形的刻蚀宽度d＝λsinθ，d为单个刻蚀图形宽度，λ为芯片中心波长，θ为发光角度。本发明能够解决现有技术中芯片发光角度普遍在120°左右，无法运用于对发光角度要求小的直显领域的问题。
主权项：1.一种直显LED芯片的制备方法，用于制备直显LED芯片，其特征在于，所述方法包括：在GaAs衬底之上依次生长GaAs缓冲层、DBR层、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层与GaP层；在所述GaP层远离所述P型半导体的一侧表面制作ITO层；在所述ITO层远离所述GaP层的一侧表面制作P-Pad层，所述P-Pad层环绕于所述ITO层的边缘；在所述ITO层远离所述GaP层的一侧表面、所述P-Pad层以内区域生长AlGaAs膜层；对所述AlGaAs膜层进行光刻与蚀刻以得到多个宽度相等的方形图形，以制作得到用于控制芯片发光角度的光栅结构层；其中，所述光栅结构层中单个方形图形的刻蚀宽度d＝λsinθ，d为单个刻蚀图形宽度，λ为芯片中心波长，θ为发光角度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种直显LED芯片及制备方法
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