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申请/专利权人：厦门大学
摘要：本发明属于先进封装技术领域，具体公开了一种用于高深宽比TSV盲孔填实的电镀液和电镀工艺，其中电镀液包括基础镀液和复合添加剂，所述基础镀液包括硫酸铜100‑300gL、硫酸10‑100gL、氯离子10‑200ppm，所述复合添加剂包括光亮剂、抑制剂、整平剂，所述光亮剂、抑制剂、整平剂的质量比为1‑100：0.1‑10：1‑20，所述基础镀液和添加剂的体积比为1000:0.5‑2。本发明在使用条件范围内，有效抑制表面的铜生长，促进孔底部铜离子的还原，实现高深宽比TSV的无缝填充；采用酸性硫酸铜体系，工艺简单，采用传统的三添加剂体系，有利于药液维护，适用于现有的晶圆级电镀设备。
主权项：1.一种用于高深宽比TSV盲孔填实的电镀液，其特征在于，包括基础镀液和复合添加剂，所述基础镀液包括硫酸铜100-300gL、硫酸10-100gL、氯离子10-200ppm，所述复合添加剂包括光亮剂、抑制剂、整平剂，所述光亮剂、抑制剂、整平剂的质量比为1-100：0.1-10：1-20，所述基础镀液和添加剂的体积比为1000:0.5-2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门大学 一种用于高深宽比TSV盲孔填实的电镀液和电镀工艺
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