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申请/专利权人：安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要：本发明属于半导体晶圆片倒角技术领域，具体涉及到：一种晶圆片先倒角后减薄，如何保证幅宽的加工方法；本发明的内容就是如何通过提前预留减薄量对应的幅宽给减薄工序来保证倒角幅宽的一致性，从而满足加工的需求；本发明将难以直接推算的导角弧形表面转化为t1、t2对应的X1、X2，能够精准明确机器所需的加工量，保证晶片上、下幅宽一致，满足了碳化硅晶片精确、高效加工的需要；本方法通过精确计算能够一次倒角完成所需要求，提高了工作效率，降低了加工成本；在保证上、下幅宽一致的情况下，可在减薄前进行倒角，保证了减薄不会因为没有倒角而产生颗粒划伤晶片，也避免了减薄后倒角可能产生的碎片风险。
主权项：1.一种保证晶片倒角幅宽一致的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、明确晶片减薄过程中影响参数，影响参数包括：晶片厚度t、晶片的上幅宽A1、晶片的下幅宽A2，晶片倒角角度Ang1，Ang2；S2、明确晶片的减薄厚度，即明确晶片在减薄工序中上面的减薄量t1、晶片在减薄工序中下面的减薄量t2；S3、通过晶片在减薄工序中上面的减薄量t1、晶片在减薄工序中下面的减薄量t2计算晶片在减薄工序中上面的减薄量t1对应的晶片在减薄工序中减薄去除的上幅宽X1、计算晶片在减薄工序中下面的减薄量t2对应的晶片在减薄工序中减薄去除的下幅宽X2；S4、根据晶片的上幅宽A1、晶片的下幅宽A2以及晶片在减薄工序中减薄去除的上幅宽X1、晶片在减薄工序中减薄去除的下幅宽X2确定晶片两侧最终的幅宽X；S5、如果步骤S4中晶片两侧最终的幅宽X符合要求，对晶片进行加工；如果步骤S4中晶片两侧最终的幅宽X不符合要求，对晶片在倒角工序的上幅宽A1、晶片在倒角工序的下幅宽A2进行调整，直至两侧最终的幅宽X符合加工要求为止。
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