龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;张江国家实验室
摘要：本发明所要解决的技术问题是，提供一种SOI器件极低温模型的建模方法，适用于SOI器件在极低温下的应用。为了解决上述问题，本发明提供了一种应用于SOIMOSFET的亚阈值摆幅模型的建模方法，包括如下步骤：根据测试数据计算亚阈值摆幅；建立常温BSIMIMG模型；提取参数极低温等效参数、等效温度拟合参数；提取常温下前栅功函数和极低温阈值电压拟合参数；提取常温迁移率影响因素、极低温迁移率拟合参数、以及尺寸迁移率温度影响因素拟合参数。本发明为了让SOI器件在极低温下可以使用BSIM模型中亚阈值摆幅模型公式，提出一种简便的建模方法使器件在极低温下模型和数据得以拟合，实测误差小于10％，精度符合业界标准。
主权项：1.一种SOI器件极低温模型建模方法，其特征在于，包括如下步骤：根据测试数据计算亚阈值摆幅；建立常温BSIMIMG模型；提取参数极低温等效参数、等效温度拟合参数；提取常温下前栅功函数和极低温阈值电压拟合参数；提取常温迁移率影响因素、极低温迁移率拟合参数、以及尺寸迁移率温度影响因素拟合参数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 张江国家实验室 一种SOI器件极低温模型建模方法以及模型
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号