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申请/专利权人：西北工业大学

摘要：一种给定孔隙率的烧结纳米银随机孔隙结构建模方法包括如下步骤：步骤1：确定烧结纳米银随机孔隙结构的二维模型边界范围；步骤2：确定烧结纳米银随机孔隙结构x、y方向的特征长度；步骤3：生成给定x、y方向的特征长度的高斯随机场分布样本；步骤4：利用最优化算法，确定给定孔隙率的高斯随机场阈值；步骤5：生成给定孔隙率的烧结纳米银随机孔隙结构，并导入有限元软件中。该方法可快速生成烧结纳米银随机孔隙结构，该结构的建立不仅可给定孔隙率，同时可给出与烧结纳米银形貌一致的随机孔隙结构，可为后续烧结纳米银细观结构分析提供模型输入。

主权项：1.一种给定孔隙率的烧结纳米银随机孔隙结构建模方法，其特征在于：利用高斯随机场模型，生成指定范围的具有一定随机特征的高斯随机场分布样本，通过最优化理论，通过调整高斯随机场阈值，生成给定孔隙率的烧结纳米银随机孔隙结构，该方法具体步骤如下：步骤1：确定烧结纳米银随机孔隙结构的二维模型边界范围，二维模型在x轴、y轴的范围分别为[Xmin,Xmax]、[Ymin,Ymax]；步骤2：确定烧结纳米银随机孔隙结构x、y方向的特征长度，分别为λx、λy；步骤3：生成给定x、y方向的特征长度的高斯随机场分布样本，该高斯随机场定义在二维空间内，高斯随机场的均值向量设定为0，高斯随机场的自相关协方差矩阵γsi,sj定义为 式中，xi，xj为高斯随机场任意两个不同的x轴坐标点整数值，xi，xj∈[Xmin,Xmax]；yi，yj为高斯随机场任意两个不同的y轴坐标点整数值，yi，yj∈[Ymin,Ymax]，利用该高斯随机场，可随机生成给定x、y方向的特征长度的高斯随机场分布样本Zx,y；步骤4：利用最优化算法，确定给定孔隙率的高斯随机场阈值，最优化求解公式定义如下：Minimize:dmn＝|m-n|Subjectto:n＝Nx×Ny×P 式中，Nx＝Xmax-Xmin+1；Ny＝Ymax-Ymin+1；P为给定孔隙率；I为孔隙点示数值，计算公式为 设定高斯随机场阈值F0最优化初值为Φ-11-P，Φ-1为正态分布的逆正态累计函数分布函数；通过最优化方法，获得最优的高斯随机场阈值F0，以使得目标孔隙点数与生成孔隙点数之差最小，以获取给定孔隙率下高斯随机场阈值F0；步骤5：生成给定孔隙率的烧结纳米银随机孔隙结构，并导入有限元软件中。

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