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申请/专利权人：中国人民解放军空军工程大学
摘要：本发明提出一种等离子体调控高超声速进气道激波边界层干扰的方法；针对高超声速进气道调控需求，在进气道前体各级布置高频等离子体阵列，通过等离子体产生的高频冲击波，对前体激波造成持续冲击，强化前体激波的高频振荡，削弱前体激波的强度以及低频不稳定性；在额定工况下，通过削弱前体激波强度，间接激发唇口激波高频振荡，减弱唇口激波边界干扰问题所造成的流动分离。这种间接调控思路与方法，即保留了等离子体的响应迅速、不改变表面结构以及调控能力强的特点，同时消除了等离子体热气团可能形成热阻塞的影响，充分发挥了等离子体的调控激波边界层干扰的能力，最终能够实现对高超声速进气道性能的改善与提升。
主权项：1.等离子体调控高超声速进气道模型，设计状态马赫数大于等于马赫5；前体为两级或两级以上压缩，保证在设计状态下，多道前体激波交汇点为进气道唇口尖端；进气道通道内宽高比大于2；其特征在于，激励器为薄长方体结构，激励器短边对称轴上均匀布置多对圆柱阶梯孔，该阶梯孔沿激励器表面垂直向内打孔加工，靠近激励器表面的小圆柱体，孔径小；远离激励器表面的大圆柱体，孔径大；将高压电线密封到圆柱阶梯孔中，并保证装配后电极表面与激励器上表面齐平；多对放电电极中第一对放电电极的阳极与电源的正极相连，最后一对放电电极的阴极与电源负极相连，其余等离子体放电电极按顺序依次在激励器下表面用高压电线两两相连；在拐角前后各布置一个阶梯凹槽，阶梯凹槽沿展向延伸，关于进气道流向周线对称布置，阶梯凹槽分为上凹槽和下凹槽，上凹槽是靠近平板上表面的凹槽；下凹槽是靠近平板下表面的凹槽，宽度小于靠近平板上表面的凹槽，下方开放；在两个阶梯凹槽里面分别设置两个激励器，每个激励器设置多对电极，激励器沿进气道展向均匀分布，激励器位于拐角前后区域，保证等离子体产生的高频冲击波，能够对前体激波造成持续扰动。
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权利要求：
百度查询： 中国人民解放军空军工程大学 等离子体调控高超声速进气道激波/边界层干扰的方法
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