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申请/专利权人:中国人民解放军空军工程大学
摘要:提出一种等离子体调控超额定状态下高超声速进气道性能的方法:在进气道前体各级布置高频等离子体阵列,通过前体与进气道的唇口的较长流向距离,消除等离子体热阻塞影响;通过等离子体产生的高频冲击波,对前体激波造成持续冲击,强化前体激波的高频振荡,削弱前体激波的强度以及低频不稳定性;在额定工况下,通过削弱前体激波强度间接激发唇口激波高频振荡,减弱唇口激波边界干扰问题所造成的流动分离。本发明既保留了等离子体的响应迅速、不改变表面结构以及调控能力强的特点,又消除了等离子体热气团可能会在进气道通道内形成热阻塞的影响,充分发挥了等离子体的调控激波边界层干扰的能力,能够实现对高超声速进气道性能的改善与提升。
主权项:1.等离子体调控超额定状态下高超声速进气道性能的装置,其特征在于,具体如下:前体为两级或两级以上压缩,保证在设计状态下,多道前体激波交汇点为进气道唇口尖端;进气道通道内宽高比大于2;模型制作材料具有高强度、抗变形和耐磨性等特点;在模型第二级斜面前端的前后,分别开设矩形凹槽用于装配激励器,凹槽沿展向延伸,关于进气道展向中轴线对称;两个凹槽展向边缘相互平行,流向边缘分别在一条直线上;激励器为薄长方体结构;多个U型电极沿激励器短边对称轴均匀布置,U型电极的长度方向与激励器长度方向相平行;每个U型电极的开口连线与激励器短边对称轴重合,U型电极整体埋入激励器内;盖板位于U型电极中间缺口处;盖板长度短于U型电极长度但大于缺口长度,盖板宽度与U型电极宽度相等,用于盖住U型电极中间的缺口;在激励器两端分别设置圆柱孔,自激励器上表面垂直向下加工为通孔,用于装配钨针,高压电线自下向上与钨电极连接,通过耐高温绝缘密封胶对高压导线与钨针进行密封,保证钨针上端与激励器表面齐平;在整个击穿过程中,存在几组击穿电极对,其中第一组的阳极与最后一组的阴极是激励器两端的两个钨针,其余为U型电极;在激励器短边对称轴上布置多组放电激励,每组放电激励指的是相邻两个U型电极相邻的两端;保证激励器表面与电极平整。
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