龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：湖北大学
摘要：本发明提供一种基于畴壁单向运动的二极管，该二极管包括：双层结构，包括自旋流源层和铁磁功能层，铁磁功能层位于自旋流源层上方，自旋流源层用于产生非共线自旋流；左端结构，包括铁磁钉扎层和非磁层，磁钉扎层位于非磁层上方，左端结构位于双层结构的左上方；从上到下依次布设的磁钉扎层、非磁层和铁磁功能层构成自旋阀结构，自旋阀结构用于通过自旋转移矩效应产生畴壁和巨磁阻变化检测畴壁；右端结构，与左端结构相同，右端结构位于双层结构的右上方，在自旋流源层产生的特定极化方向的自旋流驱动下，畴壁单向运动。本发明实现在特定自旋极化方向非共线自旋流驱动下畴壁的单向运动，结构简单，运动速度快。
主权项：1.一种基于畴壁单向运动的二极管，其特征在于，包括：双层结构，包括自旋流源层和铁磁功能层，所述铁磁功能层位于所述自旋流源层上方，所述自旋流源层用于产生非共线自旋流；左端结构，包括铁磁钉扎层和非磁层，所述磁钉扎层位于所述非磁层上方，所述左端结构位于所述双层结构的左上方；从上到下依次布设的所述磁钉扎层、所述非磁层和所述铁磁功能层构成自旋阀结构，所述自旋阀结构用于通过自旋转移矩效应产生畴壁和巨磁阻效应检测畴壁，在所述自旋流源层产生的特定自旋极化方向的自旋流驱动下，所述畴壁单向运动；右端结构，与所述左端结构相同，所述右端结构位于所述双层结构的右上方。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北大学 一种基于畴壁单向运动的二极管
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号