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申请/专利权人:无锡松煜科技有限公司
摘要:本发明公开了一种光伏N型TOPCon电池ALD钝化膜制造工艺,包括以下步骤:步骤S1,在工艺腔室内放入经湿法工序处理后的基体,在工艺腔室内形成真空恒温环境,目标温度为200‑300℃;步骤S2,在工艺腔室内循环通入O3气体,清除硅片表面的湿法残留并制备SiO2薄膜;步骤S3,在工艺腔室内通入H2O蒸汽,在SiO2表面沉积形成钝化界面;步骤S4,在工艺腔室内交替通入TMA和H2O蒸汽,生长出高钝化的Al2O3薄膜;步骤S5,吹扫破真空,完成工艺。本发明可有效的清除硅片表面的湿法残留,对提升电池Eta(转换效率)有明显作用。
主权项:1.一种光伏N型TOPCon电池ALD钝化膜制造工艺,其特征在于:包括以下步骤:步骤S1,在工艺腔室内放入经湿法工序处理后的基体,在工艺腔室内形成真空恒温环境,目标温度为200-300℃;步骤S2,在工艺腔室内循环通入O3气体,持续时间为30-200s,再通入N2吹扫,吹扫时间为0-100s,执行1-5个循环,清除硅片表面的湿法残留并制备SiO2薄膜;步骤S3,在工艺腔室内通入H2O蒸汽,持续时间为5-30s,再通入N2吹扫0-100s,在SiO2表面沉积形成钝化界面;步骤S4,在工艺腔室内交替通入TMA和H2O蒸汽,生长出高钝化的Al2O3薄膜;步骤S5,吹扫破真空,完成工艺。
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权利要求:
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