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申请/专利权人：晋能清洁能源科技股份公司;晋能光伏技术有限责任公司

摘要：本发明涉及一种ALD镀膜方法及其设备，属于光伏电池制备技术领域。包括：在第一恒定温度下，向反应腔体内部通入作为铝源的吸附气体，以在N型硅片上进行吸附反应；在第二恒定温度下，向反应腔体内部通入作为水源的氧化气体，以在N型硅片上进行氧化反应；之后再进行循环ALD镀膜处理，以使N型硅片背面的四周和正面形成初始氧化铝薄膜，再将N型硅片取出并降温，得到制备好的氧化铝薄膜。通过向反应腔体通入温度恒定的作为铝源的吸附气体和作为水源的氧化气体，使得铝源和水源能够在N型硅片的背面的四周和正面进行吸附反应和氧化反应，提高N型硅片的背面四周和正面形成的氧化铝薄膜的均匀性，提高TOPCon电池的钝化效果和光电转换效率。

主权项：1.一种ALD镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，将多个N型硅片放入铝舟内，并去除相邻的两个N型硅片之间的拨杆，使得N型硅片的正面和背面暴露于气体环境中；S2，将装载有多个N型硅片的铝舟送入ALD原子沉积炉的腔体内，之后对腔体内部依次进行抽真空处理、预热处理和检漏处理，得到进行ALD镀膜工艺的反应腔体；S3，在第一恒定温度下，向反应腔体内部通入作为铝源的吸附气体，以对多个N型硅片的背面的四周和正面进行吸附反应，之后再向完成吸附反应的反应腔体内部通入吹扫气体，以对反应腔体内部进行第一次吹扫处理；S4，在第二恒定温度下，向完成第一次吹扫处理的反应腔体内部通入作为水源的氧化气体，以对多个N型硅片的背面的四周和正面进行氧化反应，之后再向完成氧化反应的反应腔体内部通入吹扫气体，以对反应腔体内部进行第二次吹扫处理；S5，重新进行至少一次S3和S4来对N型硅片的背面的四周和正面进行循环ALD镀膜处理，以在N型硅片的背面的四周和正面形成初始氧化铝薄膜；S6，向完成循环ALD镀膜处理的反应腔体内部通入吹扫气体，以对反应腔体内部进行第三次吹扫处理，并使反应腔体内的压力值为大气压值；S7，利用桨杆将铝舟从ALD原子沉积炉的反应腔体内部取出并进行降温处理，以完成N型硅片背面四周和正面的氧化铝薄膜的制备，得到制备好的氧化铝薄膜。

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