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申请/专利权人：中国科学技术大学
摘要：本发明提供了一种MoSe2@Mo2C杂化材料的制备方法，包括以下步骤：S1）将少层Mo2C和硒粉混合，得到混合物；S2）将所述混合物在保护气氛下退火，得到MoSe2@Mo2C杂化材料。本申请还提供了一种负极材料和一种二次电池。本发明制备的MoSe2@Mo2C杂化材料保持了少层Mo2CMXene的纳米片层结构，使得杂化材料拥有更多的活性位点，更短的离子传输路径和结构稳定性；不仅丰富了Mo2CMXene杂化、复合材料的结构多样性，还拓展了其在锂离子电池中的应用。
主权项：1.一种MoSe2@Mo2C杂化材料的制备方法，包括以下步骤：S1）将少层Mo2C和硒粉混合，得到混合物；S2）将所述混合物在保护气氛下退火，得到MoSe2@Mo2C杂化材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学技术大学 MoSe2@Mo2C杂化材料、其制备方法及其应用
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