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申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
摘要：本发明提供了一种耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS的制备方法，包括：在所述碳化硅衬底的下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；在漂移层上形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成导电层、保护层、掩蔽层及阱区，在漂移层上形成阻挡层，刻蚀，对阱区进行离子注入，形成N型源区及P型源区；重新形成阻挡层，刻蚀漂移层至N型源区以及P型源区上侧面，淀积金属形成源极金属层；重新形成阻挡层，并刻蚀漂移层以及阱区至所述掩蔽层上侧面，氧化形成栅介质层，所述栅介质层内设有沟槽；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成栅极金属层；提高器件的耐漏极电压冲击能力的同时提高开关速度。
主权项：1.一种耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1、在所述碳化硅衬底的下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；步骤2、在漂移层上形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成导电层；步骤3、去除阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成保护层；步骤4、去除阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成掩蔽层；步骤5、去除阻挡层，对漂移层进行离子注入，形成阱区；步骤6、在漂移层上形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对阱区进行离子注入，形成N型源区；步骤7、去除阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对阱区进行离子注入，形成P型源区；步骤8、去除阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，刻蚀漂移层至N型源区以及P型源区上侧面，淀积金属，形成源极金属层；步骤9、去除阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀漂移层以及阱区至所述掩蔽层上侧面，氧化形成栅介质层，所述栅介质层内设有沟槽；步骤10、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层。
全文数据：
权利要求：
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