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申请/专利权人:深圳市智越盛电子科技有限公司
摘要:本发明公开基于MCU内置时钟晶体达到高精度RTC免校准方法,涉及电能表技术领域,包括以下步骤:步骤一、多个时钟晶体的选用,时钟晶体顶点温度为25℃±2℃,多个所述时钟晶体之间的偏差为小于±4%,以保证温度补偿的一致性;步骤二、在MCU芯片内部集成晶体的匹配电容,并将步骤一中所选时钟晶体与MCU芯片进行合封,所述时钟晶体内置在MCU芯片内部所产生的寄生电容稳定小于0.5pF;步骤三、对集成在MCU芯片上的时钟晶体进行测试,测试出三段温度节点的时钟晶体偏差;步骤四、将时钟晶体误差补偿值固化在MCU芯片的内部,以达到免校准的功能。由于时钟晶体内置在MCU芯片内部,并通过封装工艺,能够完全杜绝晶体与外部接触。
主权项:1.基于MCU内置时钟晶体达到高精度RTC免校准方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、多个时钟晶体2的选用,时钟晶体2顶点温度为25℃±2℃,多个所述时钟晶体2之间的偏差为小于±4%,以保证温度补偿的一致性;步骤二、在MCU芯片1内部集成时钟晶体的匹配电容,并将步骤一中所选时钟晶体2与MCU芯片1进行合封,所述时钟晶体2内置在MCU芯片1内部所产生的寄生电容稳定小于0.5pF;步骤三、对集成在MCU芯片1上的时钟晶体进行测试,测试出三段温度节点的时钟晶体2偏差;步骤四、将时钟晶体2误差补偿值固化在MCU芯片1的内部,以达到免校准的功能。
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