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申请/专利权人：苏州坤力美海科技有限公司
摘要：本发明提出了一种基于石墨烯场效应的晶体管‑DNA传感器及其在检测汞离子中的应用，该种传感器通过CVD方法制备石墨烯，利用PMMA作为转移介质，结合FeCl3溶液的腐蚀作用，高效地将石墨烯从铜基底转移到硅氧化片上，通过RIE反应离子刻蚀技术精确地刻蚀出所需的石墨烯条带，通过电阻蒸发镀膜机蒸镀金电极，通过控制蒸镀的厚度和形貌，确保传感器良好的电学接触和长期稳定性。本方法通过刻蚀后石墨烯条带边缘的羧基结合氨基修饰的DNA，构建出新型的石墨烯‑DNA传感器，以此制备专用的传感器结构，通过锁相放大器对这一传感器加入Hg2+后反应的动力学行为进行了监测，该种传感器对Hg2+离子高度灵敏的检测能力，其检测限制低至0.438pM，极大的增强了现有的技术水平。
主权项：1.基于石墨烯场效应的晶体管-DNA传感器，其特征在于，制备过程包括以下步骤：S1、石墨烯层的制备：制备条状的基底材料，并通过CVD法，将石墨烯沉积生长在基地材料的表面；S2、石墨烯层的获取：通过PMMA涂覆的方式，对石墨烯层进行支撑；再通过腐蚀的方法对基底材料进行侵蚀，侵蚀完成后，将石墨烯层从溶液中提出，并置于硅片的上表面，后续再通过溶液将表面的PMMA去除；S3、反应离子的刻蚀：通过微电子干法腐蚀工艺对石墨烯进行处理，用于在石墨烯的表面刻蚀出指定的形状特征；S4、蒸镀金电极：通过掩膜版，蒸镀金属薄膜；S5、完成DAN生物传感器的制备：将石墨烯条带边缘的羧基用EDCNHS活化后，使氨基修饰的DNA4通过与羧基的连接反应而使DNA4与石墨烯相连接，从而制备出基于石墨烯场效应的晶体管-DNA传感器。
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百度查询： 苏州坤力美海科技有限公司 基于石墨烯场效应的晶体管-DNA传感器及其在检测汞离子中的应用
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