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申请/专利权人：中南大学
摘要：本发明公开了一种抗辐照低活化难熔W‑Ta‑Cr‑V系多组元合金及其制备方法，抗辐照低活化难熔W‑Ta‑Cr‑V系多组元合金以BCC基体为主，其合金成分的原子百分比为W13～16％、Ta13～16％、Cr30～35％、V33～38％。本发明采用的合金制备方法主要包括机械合金化、快速热压烧结与热处理。合金中纳米析出相片层厚度小于80nm，面积分数大于20％。本发明的W‑Ta‑Cr‑V系多组元合金，在室温与450℃高温氦离子辐照后，氦泡尺寸细小，辐照硬化程度低，相较于纯W材料具有更优异的抗辐照性能，有望应用于面向等离子体部件的表面抗辐照材料以及先进核反应堆抗辐照材料。
主权项：1.一种抗辐照低活化难熔W-Ta-Cr-V系多组元合金的制备方法，其特征在于：合金原料粉末按原子百分比计，包括W13～16%、Ta13～16%、Cr30～35%、V33～38%，原料粉末称量后放入硬质合金球，球料比5:1~10：1，密封球磨罐；在真空或惰性气体保护条件下进行高能球磨，粉末筛分后装模烧结，热处理获得合金；所述热处理温度为1200℃；其中，所述制备的合金为（a）~（c）的任意一种：（a）所述合金以BCC无序固溶体为基体，弥散分布高密度共格有序纳米析出相，其中纳米析出相的面积百分比大于20%，析出相片层厚度小于80nm；（b）室温下，400keV氦离子辐照剂量2×1017ionscm2，所述合金中平均氦泡尺寸小于1nm，辐照硬化不高于20%；（c）450℃，400keV氦离子辐照剂量2×1017ionscm2，所述合金中平均氦泡尺寸小于1.5nm，辐照硬化不高于30%。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中南大学 一种抗辐照低活化难熔W-Ta-Cr-V系多组元合金及其制备方法
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