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申请/专利权人：成都纤声科技有限公司
摘要：本申请提供一种压电堆栈结构、微机电系统及压电堆栈结构的制备方法，涉及半导体技术领域。该压电堆栈结构层叠设置的至少三层电极层，相邻的两层电极层之间设有至少一层压电层；压电堆栈结构还包括至少一层修复层，修复层位于最远离衬底层的电极层朝向衬底层的一侧，修复层和压电层的材料相同，修复层的材料中掺杂元素的浓度低于压电层的材料中掺杂元素的浓度。该压电堆栈结构通过引入掺杂元素浓度较低的修复层，极大地改善了修复层上方膜层的不平整，进而提高了上层膜层的成膜质量。通过显微镜下的形貌图可以观察到，位于修复层上方的压电层和电极层的平整度都有了很大的改善，且压电层中的异常晶粒数量明显减少。
主权项：1.一种压电堆栈结构，被配置于衬底层上，其特征在于，包括：层叠设置的至少三层电极层，相邻的两层电极层之间设有至少一层压电层；所述压电堆栈结构还包括至少一层修复层，所述修复层位于最远离所述衬底层的所述电极层朝向所述衬底层的一侧，所述修复层和所述压电层的材料相同，所述修复层的材料中掺杂元素的浓度低于所述压电层的材料中所述掺杂元素的浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都纤声科技有限公司 压电堆栈结构、微机电系统及压电堆栈结构的制备方法
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