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申请/专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
摘要：本发明涉及碳化硅晶体技术领域，更具体的公开了一种用于大尺寸碳化硅晶体的加工方法，晶体制备：首先，通过物理气相传输法生长碳化硅晶体，是以高纯碳粉、高纯硅粉为原料合成碳化硅粉，在特殊温场下，采用物理气相传输法生长不同尺寸的碳化硅晶锭，晶锭加工：将制得的碳化硅晶锭使用X射线单晶定向仪进行定向，之后磨平、滚磨，加工成大尺寸的碳化硅晶体；晶体切割：使用多线切割设备，将碳化硅晶体切割成厚度不超过1mm的薄片；本发明可根据实际需要切割出需要尺寸的碳化硅晶体，避免出现较大尺寸碳化硅晶体通过多个小尺寸的碳化硅晶体进行拼接从而达到碳化硅晶体的尺寸变大，但是在连接处，碳化硅的传输性能会受到一些影响的情况出现。
主权项：1.一种用于大尺寸碳化硅晶体的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、晶体制备：首先，通过物理气相传输法生长碳化硅晶体，是以高纯碳粉、高纯硅粉为原料合成碳化硅粉，在特殊温场下，采用物理气相传输法生长不同尺寸的碳化硅晶锭；S2、晶锭加工：将制得的碳化硅晶锭使用X射线单晶定向仪进行定向，之后磨平、滚磨，加工成大尺寸的碳化硅晶体；S3、晶体切割：使用多线切割设备，将碳化硅晶体切割成厚度不超过1mm的薄片，切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程，这对于后续的研磨和抛光至关重要；S4、晶片研磨：通过不同颗粒粒径的金刚石研磨液将晶片研磨到所需的平整度和粗糙度，研磨的目的是去除切割过程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面损伤层；S5、晶片抛光：通过机械抛光和化学机械抛光方法得到表面无损伤的碳化硅抛光片，抛光后的碳化硅晶片表面应达到一定的光洁度和平整度。
全文数据：
权利要求：
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