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申请/专利权人：山东大学
摘要：本发明公开一种基于UDS的KDP晶体表面过饱和度模拟计算方法，涉及晶体生长数值模拟技术领域，包括：建立晶体生长槽物理几何模型，对物理几何模型进行网格划分后，导入至Fluent仿真软件；基于用户自定义标量方程UDS，耦合流体湍流、能量方程，建立KDP晶体生长系统溶质传输方程；基于KDP晶体表面溶质反应边界条件，编写用户自定义函数UDF，并基于用户自定义存储UDM，存储KDP溶液平衡浓度，挂载平衡浓度随温度变化的自定义函数，以此构造晶体表面生长速率自洽函数；耦合所建立的方程及函数，建立KDP晶体生长系统的数学模型，设置数学模型的计算域条件及边界条件，计算求解得到KDP晶体生长系统的过饱和度分布。
主权项：1.一种基于UDS的KDP晶体表面过饱和度模拟计算方法，其特征是，包括：根据KDP晶体生长系统，建立晶体生长槽物理几何模型；对物理几何模型进行网格划分，并将划分后的模型导入至Fluent仿真软件；基于用户自定义标量方程UDS，并耦合流体湍流、能量方程，建立KDP晶体生长系统溶质传输方程；基于KDP晶体表面溶质反应边界条件，编写用户自定义函数UDF，并基于用户自定义存储UDM，存储KDP溶液平衡浓度，挂载平衡浓度随温度变化的自定义函数，以此构造晶体表面生长速率自洽函数；耦合所建立的方程及函数，建立KDP晶体生长系统的数学模型，并设置数学模型的计算域条件及边界条件，计算求解KDP晶体生长系统的速度、剪切力、温度、溶质浓度和过饱和度分布。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 一种基于UDS的KDP晶体表面过饱和度模拟计算方法
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