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申请/专利权人：中国矿业大学
摘要：本发明属于半导体相变存储材料技术领域，具体涉及一种一维SnSe螺旋位错纳米线及其制备方法和应用。所述制备方法采用以下步骤：将SnSe粉末置于管式炉中心区域，将基底材料置于下游低温端，调节cc0为1.2‑1.4，催化剂为Au纳米颗粒，进行加热反应，得到所述一维SnSe螺旋位错纳米线。本发明通过化学气相沉积法实现一维范德华SnSe螺旋位错纳米线形貌，结构，尺寸和角度的可控生长；所述制备方法具有工艺简单，操作易控制，所用试剂相对价廉及绿色环保等优点；所述SnSe螺旋位错纳米线具有优越的电学、光学性质，同时还具有热学性能优良、环境友好、化学性质稳定且成本低等特点，在红外光电仪器，记忆切换开关和热电冷却材料等领域存在着巨大的应用价值。
主权项：1.一种一维SnSe螺旋位错纳米线的制备方法，其特征在于，所述制备方法采用以下步骤：将前驱体SnSe粉末置于管式炉中心区域，将基底材料置于下游低温端，Au纳米颗粒旋涂于基地材料底部，进行加热反应，调节cc0为1.2-1.4，得到所述一维SnSe螺旋位错纳米线；其中，c为前驱体SnSe粉末浓度，c0为平衡浓度；所述加热反应的气压为-0.09Mpa，气流速度为100sccm；所述加热反应的温度为800℃，时间为2h，升温速率为10℃min。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国矿业大学 一种一维SnSe螺旋位错纳米线及其制备方法和应用
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