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申请/专利权人：西安交通大学

摘要：本发明公开了一种基于复合温度补偿的带隙基准电路，涉及电子电路技术领域，包括带隙基准核心模块、线性化补偿模块、分段线性补偿模块和基准输出模块；带隙基准核心模块用于产生负温度系数电压和正温度系数电压；线性化补偿模块用于对带隙基准核心模块的负温度系数电压的高阶非线性项进行补偿，得到基准电压；分段线性补偿模块用于产生分段补偿电流，分段补偿电流用于在不同的温度范围内，对基准电压的温度系数进行不同的电流补偿，并注入到基准输出模块；基准输出模块用于输出带隙基准电压。发明可在工作温度为‑40~125°C时，可以达到0.03ppm°C的精度，带隙基准源的精度更高，适用的温度范围更大。

主权项：1.一种基于复合温度补偿的带隙基准电路，其特征在于，包括带隙基准核心模块、线性化补偿模块、分段线性补偿模块和基准输出模块；所述带隙基准核心模块用于产生负温度系数电压和正温度系数电压；所述线性化补偿模块用于对带隙基准核心模块的负温度系数电压的高阶非线性项进行电压补偿，并将电压补偿后的负温度系数电压和正温度系数电压进行叠加，得到基准电压；所述分段线性补偿模块用于产生分段补偿电流，所述分段补偿电流用于在不同的温度范围内，对基准电压的温度系数进行不同的电流补偿，并注入到基准输出模块；所述基准输出模块用于输出电流补偿后基准电压，即带隙基准电压；所述分段线性补偿模块包括第二电源、INT产生电路、IPT产生电路、IH1产生电路、IH2产生电路、IL1产生电路和IL2产生电路；当温度小于TL1时，电流补偿ICOMP=-IL2-IL1；当温度大于TL1小于TL2时，电流补偿ICOMP=-IL2；当温度大于TL2小于TH1时，电流补偿ICOMP=0；当温度大于TH1小于TH2时，电流补偿ICOMP=IH1；当温度大于TH2时，电流补偿ICOMP=IH1+IH2；所述INT产生电路包括晶体管MP5和MP6、运算放大器OP3、电阻R4以及三极管Q4；所述晶体管MP5和MP6的发射极与第二电源连接，晶体管MP5的集电极与运算放大器OP3的同向输入端和电阻R4的一端连接；三极管Q4的基极与电阻R4的另一端连接，集电极接地，发射极与运算放大器OP3的反向输入端和晶体管MP6的集电极连接；运算放大器OP3的输出端与晶体管MP5的基极连接；所述IPT产生电路包括晶体管MP7、运算放大器OP4、电阻R5以及三极管Q5；所述运算放大器OP4的反向输入端与运算放大器OP3的反向输入端连接，正向输入端与电阻R5的一端和晶体管MP7的集电极连接，输出端与晶体管MP6和MP7的基极连接；所述IH1产生电路包括晶体管MP8、MP9、MP10、MP11、MN1和MN2；所述IH2产生电路包括晶体管MP12、MP13、MP14、MP15、MN3和MN4；所述IH1产生电路和IH2产生电路的连接方式相同；所述运算放大器OP4的输出端通过A倍的电流镜与晶体管MP8的基极连接，所述运算放大器OP3的输出端通过B倍的电流镜与晶体管MP9的基极连接，所述晶体管MN1和MN2的基极相互连接，发射极均接地；晶体管MN1的集电极与晶体管MP8的集电极连接，晶体管MN2的集电极与晶体管MP9的集电极连接；所述晶体管MP10和MP11的基极相互连接，发射极均与第二电源连接；晶体管MP10的集电极与MN2的集电极连接；所述运算放大器OP4的输出端通过G倍的电流镜与晶体管MP12的基极连接，所述运算放大器OP3的输出端通过H倍的电流镜与晶体管MP13的基极连接；所述IL1产生电路包括晶体管MP16、MP17、MN5、MN6、MN7和MN8；所述IL2产生电路包括晶体管MP18、MP19、MN9、MN10、MN11和MN12；所述IL1产生电路和IL2产生电路的连接方式相同；所述运算放大器OP3的输出端通过C倍的电流镜与晶体管MP16的基极连接，所述运算放大器OP4的输出端通过D倍的电流镜与晶体管MP17的基极连接；所述晶体管MP16和MP17的发射极与第二电源连接，晶体管MP16的集电极与MN6、MN7的集电极连接，晶体管MP17的集电极与MN8的集电极连接；晶体管MN5和MN6的基极相互连接，晶体管MN7和MN8的基极相互连接，晶体管MN5、MN6、MN7和MN8的发射极均接地；所述运算放大器OP3的输出端通过F倍的电流镜与晶体管MP18的基极连接，所述运算放大器OP4的输出端通过E倍的电流镜与晶体管MP19的基极连接。

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