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申请/专利权人：拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
摘要：本实用新型公开了一种导气结构，包括：气环本体，设置于反应腔的内部上方，其中，反应腔的内部放有待处理的基片，气环本体的环绕范围不小于基片的大小；第一通道，设置于气环本体的内部，并贴合气环本体的内壁，内壁上均布多个导气孔；至少两条第二通道，位于气环本体的内部的第一通道的外侧，各第二通道的两端与第一通道连通，并且各第二通道相互之间径向和或轴向间隔设置；以及通气接口，连接第二通道，以使工艺气体经由第二通道传递到第一通道，并经由内壁通入反应腔。本实用新型提供的导气结构，有利于进一步提高通入反应腔内的工艺气体的均匀度，使工艺气体均匀分布于反应腔内各个区域，从而提升反应腔内的工艺均匀度。
主权项：1.一种导气结构，其特征在于，包括：气环本体，设置于反应腔的内部上方，其中，所述反应腔的内部放有待处理的基片，所述气环本体的环绕范围不小于所述基片的大小；第一通道，设置于所述气环本体的内部，并贴合所述气环本体的内壁，所述内壁上均布多个导气孔；至少两条第二通道，位于所述气环本体的内部的所述第一通道的外侧，各所述第二通道的两端与所述第一通道连通，并且各所述第二通道相互之间径向和或轴向间隔设置；以及通气接口，连接所述第二通道，以使工艺气体经由所述第二通道传递到所述第一通道，并经由所述导气孔通入所述反应腔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司 一种导气结构
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