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申请/专利权人：拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
摘要：本实用新型涉及半导体制造设备技术领域，更具体的说，涉及一种抽气环组件以及半导体反应腔体。本实用新型提供了一种抽气环组件以及半导体反应腔体，至少包含一个陶瓷环和一个抽气环：所述陶瓷环，设置在腔室底部，为圆环形结构；所述抽气环，设置在腔室上部，位于陶瓷环之上，为圆环形结构；其中，所述陶瓷环位于加热盘的外侧，所述抽气环位于喷淋板的外侧，抽气环的厚度增加至第一厚度，以减小抽气环与喷淋板的间隙。本实用新型将抽气环的厚度增加至第一厚度，以减小抽气环与喷淋板的间隙，从而提高了半导体的整体稳定性和制造过程的均匀性，以及减少了不良沉积和制造缺陷，提升了半导体制造效率和产品质量。
主权项：1.一种抽气环组件，设置在半导体反应腔体内，其特征在于，至少包含一个陶瓷环和一个抽气环：所述陶瓷环，设置在腔室底部，为圆环形结构；所述抽气环，设置在腔室上部，位于陶瓷环之上，为圆环形结构；其中，所述陶瓷环位于加热盘的外侧，所述抽气环位于喷淋板的外侧，抽气环的厚度增加至第一厚度，以减小抽气环与喷淋板的间隙。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司 一种抽气环组件以及半导体反应腔体
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