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申请/专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
摘要：本实用新型涉及三氯氢硅处理的技术领域，特别是涉及一种三氯氢硅杂质去除装置，其在外壳内部集成第一吸附腔与第二吸附腔，能够大幅度增加吸附时间，提高树脂本身的吸附效果，整个吸附装置的占地面积减少，减少土地投资，提高使用实用性；包括外壳、隔板、第一过滤器、第二过滤器和第三过滤器，外壳内部设置有处理腔，隔板固定安装在外壳内部，隔板将外壳处理腔分隔为第一吸附腔和第二吸附腔，第一过滤器与第一吸附腔输入端紧固连通，第二过滤器输入端与第一吸附腔输出端连通，第二过滤器输出端与第二吸附腔输入端连通，第二过滤器串联设置在第一吸附腔与第二吸附腔之间，第三过滤器与第二吸附腔输出端紧固连通。
主权项：1.一种三氯氢硅杂质去除装置，其特征在于，包括外壳（1）、隔板（2）、第一过滤器（7）、第二过滤器（8）和第三过滤器（9），所述外壳（1）内部设置有处理腔，所述隔板（2）固定安装在外壳（1）内部，所述隔板（2）将外壳（1）处理腔分隔为第一吸附腔和第二吸附腔，所述第一过滤器（7）与第一吸附腔输入端紧固连通，所述第二过滤器（8）输入端与第一吸附腔输出端连通，所述第二过滤器（8）输出端与第二吸附腔输入端连通，所述第二过滤器（8）串联设置在第一吸附腔与第二吸附腔之间，所述第三过滤器（9）与第二吸附腔输出端紧固连通；所述第一吸附腔包括第一折流板（3）和第一吸附树脂（4），所述第一吸附腔内交叉固定安装有两组第一折流板（3），其中一组第一折流板（3）固定安装在外壳（1）内部底端，另一组第一折流板（3）固定安装在外壳（1）内部顶端，所述第一折流板（3）端部与外壳（1）内壁之间设置有间隙，所述第一吸附腔内填充设置有第一吸附树脂（4）；所述第二吸附腔包括第二折流板（5）和第二吸附树脂（6），所述第二吸附腔内交叉固定安装有三组第二折流板（5），所述第二折流板（5）端部与外壳（1）内壁之间设置有间隙，所述第二吸附腔内填充设置有第二吸附树脂（6）。
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百度查询： 江苏鑫华半导体科技股份有限公司 一种三氯氢硅杂质去除装置
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