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申请/专利权人：罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司

摘要：本发明涉及一种多Micro‑LED芯片封装体及其制备方法，涉及半导体显示技术领域。在本发明的多Micro‑LED芯片封装体的制备方法中，通过优化第一氧化锆钝化层、第二氧化锆钝化层以及第三氧化锆钝化层的制备工艺，使得各氧化锆钝化层的表面为粗糙结构，进而在后续形成各金属层时，可以有效提高二者的结合性能，进而可以有效避免各金属层剥离，且通过形成第一金属层、第二金属层以及第三金属层，为各Micro‑LED芯片与第二电极之间提供多条导电通路，在后续的使用过程中，即使某一个导电通路发生断路，这也不妨碍各Micro‑LED芯片的正常使用。

主权项：1.一种多Micro-LED芯片封装体的制备方法，其特征在于：所述多Micro-LED芯片封装体的制备方法包括以下步骤：提供一发光晶圆，所述发光晶圆包括第一半导体层、发光量子阱层以及第二半导体层；对所述发光晶圆进行切割处理以形成多个Micro-LED单元；提供一载体基板，将M个所述Micro-LED单元转移至所述载体基板，M≥6；接着将所述载体基板置于ALD腔室中，向所述ALD腔室中依次循环通入锆源气体、清洗气体、氧源气体以及清洗气体，接着向所述ALD腔室中依次循环通入由锆源气体和有机封闭剂组成的反应气体、清洗气体、氧源气体以及清洗气体，以形成具有粗糙表面的第一氧化锆钝化层，所述第一氧化锆保护层覆盖每个所述Micro-LED单元的上表面和侧表面；接着在所述第一氧化锆保护层上形成第一金属层；接着将所述载体基板再次置于ALD腔室中，向所述ALD腔室中依次循环由锆源气体和有机封闭剂组成的反应气体、清洗气体、氧源气体以及清洗气体，以形成具有粗糙表面的第二氧化锆钝化层，所述第二氧化锆保护层覆盖所述第一金属层；接着在所述第二氧化锆保护层上形成第二金属层；接着将所述载体基板再次置于ALD腔室中，向所述ALD腔室中依次循环由锆源气体和有机封闭剂组成的反应气体、清洗气体、氧源气体以及清洗气体，以形成具有粗糙表面的第三氧化锆钝化层，所述第三氧化锆保护层覆盖所述第二金属层；接着在所述第三氧化锆保护层上形成第三金属层；接着形成第一电极和第二电极，所述第一电极与所述Micro-LED单元的第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层电连接；去除所述载体基板，在所述第二半导体层上形成导电层，所述所述第二半导体层通过所述导电层与所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层电连接。

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