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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开提供了一种半导体结构的制备方法和半导体结构，制备方法包括：提供衬底，衬底具有间隔设置的第一区和第二区；在第一区生长SiGe外延层；采用预配置的第一试剂对SiGe外延层的表面和第二区的表面进行处理，使SiGe外延层的表面形成第一保护层，使衬底的第二区的表面形成第二保护层；采用预配置的第二试剂对第一保护层和第二保护层进行处理，以去除第二保护层；形成具备第一保护层的SiGe外延层。本公开可以在PMOS器件制造过程中，有效保护SiGe外延层不被损耗，提高PMOS器件的载流子迁移率，进而提高PMOS器件的电学性能。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有间隔设置的第一区和第二区；在所述第一区生长SiGe外延层；采用预配置的第一试剂对所述SiGe外延层的表面和所述第二区的表面进行处理，使所述SiGe外延层的表面形成第一保护层，使所述衬底的所述第二区的表面形成第二保护层；采用预配置的第二试剂对所述第一保护层和所述第二保护层进行处理，以去除所述第二保护层；形成具备所述第一保护层的所述SiGe外延层。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的制备方法和半导体结构
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