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申请/专利权人：天津中科晶禾电子科技有限责任公司
摘要：本发明属于晶圆键合技术领域，公开了一种低温键合方法。该低温键合方法包括：A：提供一腔体，将待键合的第一样品和第二样品置于腔体内；B：对第一样品和第二样品做独立的降温处理，使得第一样品的温度为T1，第二样品的温度为T2；温度T1、T2分别处于0℃以下；C：对腔体抽真空，使得腔体内的真空度达到预定值；D：对第一样品和第二样品做辐照处理，使得第一样品和第二样品的表面活化；E：将第一样品和第二样品进行键合，形成第一键合体；键合时，第一样品的温度为T3，第二样品的温度为T4；T3、T4分别处于0℃以下。本发明提供的低温键合方法，能有效提升器件性能。
主权项：1.低温键合方法，其特征在于，包括：A：提供一腔体（100），将待键合的第一样品（300）和第二样品（400）置于所述腔体（100）内；B：对所述第一样品（300）和所述第二样品（400）做独立的降温处理，使得所述第一样品（300）的温度为T1，所述第二样品（400）的温度为T2；所述T1、所述T2分别处于0℃以下；C：对所述腔体（100）抽真空，使得所述腔体（100）内的真空度达到预定值；D：对所述第一样品（300）和所述第二样品（400）做辐照处理，使得所述第一样品（300）和所述第二样品（400）的表面活化；E：将所述第一样品（300）和所述第二样品（400）进行键合，形成第一键合体；键合时，所述第一样品（300）的温度为T3，所述第二样品（400）的温度为T4；所述T3、所述T4分别处于0℃以下。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津中科晶禾电子科技有限责任公司 低温键合方法
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