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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种提升耐压能力和散热能力的GaN高电子迁移率晶体管，主要解决现有同类器件耐压能力低、散热能力差、欧姆接触质量低的问题。其自下而上包括SiC衬底、AlN成核层、AlN缓冲层、GaN沟道层、AlN势垒层、SiN欧姆接触层和钝化层，SiN欧姆接触层的上部两端为源、漏电极，AlN势垒层上表面中部到钝化层之间设有栅脚，其向左右延伸至钝化层上方形成栅帽，栅帽与栅脚共同构成T型栅电极。本发明采用SiC作衬底，用AlN作成核层，提高了器件散热能力，并采用超薄AlN缓冲层，进一步提高了器件的散热能力和耐压能力，同时通过在势垒层上增设SiN欧姆接触层，提升了晶体管欧姆接触质量，可用作高压功率和射频微波器件。
主权项：1.一种提升耐压能力和散热能力的GaN高电子迁移率晶体管，包括衬底1、缓冲层3、GaN沟道层4、势垒层5、源电极7、漏电极8、钝化层9和T型栅电极10，其特征在于：所述衬底1与缓冲层3之间设有AlN成核层2，以减少缓冲层3的位错与陷阱密度，提高散热能力；所述势垒层5采用厚度为3nm～6nm的AlN材料，其与GaN沟道层4形成AlNGaN异质结，以产生更大的2DEG浓度，该势垒层5上方设有厚度为2nm～4nm的SiN欧姆接触层6，以与源、漏电极形成良好的欧姆接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种提升耐压能力和散热能力的GaN高电子迁移率晶体管及制作方法
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