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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供了一种分栅式闪存器件的形成方法，包括：在衬底的表面形成图案化的硬掩膜层；在图案化的硬掩膜层未覆盖的衬底内形成间隔的浅沟槽隔离结构；在浅沟槽隔离结构之间的衬底内形成有源区，在有源区的底部还形成有离子注入截止层；在有源区内形成间隔的若干浮栅结构；在浮栅结构表面形成隧穿氧化层和擦除栅；在浮栅结构之间的有源区内形成字线结构，包括字线耦合氧化层和字线，字线通过字线耦合氧化层与有源区隔开；在浮栅结构之间的字线结构的表面形成隔离氧化层；去除图案化的硬掩膜层，在衬底的表面形成侧墙，侧墙覆盖隧穿氧化层和部分浮栅耦合氧化层的侧壁；在侧墙外的衬底内形成与浮栅结构间隔的位线。
主权项：1.一种分栅式闪存器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底的表面形成图案化的硬掩膜层；在所述图案化的硬掩膜层未覆盖的衬底内形成间隔的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的表面高于所述衬底的表面；在所述浅沟槽隔离结构之间的衬底内形成有源区，在所述有源区的底部还形成有离子注入截止层；在所述有源区内形成间隔的若干浮栅结构，所述浮栅结构包括浮栅耦合氧化层和浮栅，所述浮栅通过所述浮栅耦合氧化层与所述有源区隔开，所述浮栅结构的表面低于所述浅沟槽隔离结构的表面；在所述浮栅结构表面形成隧穿氧化层和擦除栅，所述擦除栅通过所述隧穿氧化层与所述浮栅结构以及图案化的硬掩膜层隔开；在所述浮栅结构之间的有源区内形成字线结构，所述字线结构包括字线耦合氧化层和字线，所述字线通过所述字线耦合氧化层与所述有源区隔开；在所述浮栅结构之间的字线结构的表面形成隔离氧化层；去除图案化的硬掩膜层，在所述衬底的表面形成侧墙，所述侧墙覆盖所述隧穿氧化层和部分浮栅耦合氧化层的侧壁；以及在侧墙外的衬底内形成与所述浮栅结构间隔的位线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 分栅式闪存器件的形成方法
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