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申请/专利权人：江西求是高等研究院
摘要：本发明提供了一种微显示芯片制备方法及微显示芯片，制备方法包括：提供一生长衬底和CMOS驱动晶圆，在生长衬底上生长发光结构，通过键合层将发光结构和CMOS驱动晶圆连接，去除生长衬底和部分发光结构，在去除部分发光结构的外延层表面进行多次刻蚀，形成若干相互独立的微显示单元，外延层表面沉积完全覆盖微显示单元的绝缘介质层，将微显示单元之间的绝缘介质层进行刻蚀后得到沟槽，在沟槽内沉积导电材料形成导电沟槽，在相邻的导电沟槽之间沉积导电金属，形成金属电极，得到目标微显示芯片，金属电极的轴线方向与导电沟槽的轴线方向垂直。本申请制备的微显示芯片减少了电极对芯片出光的遮挡，提高了芯片的发光效率。
主权项：1.一种微显示芯片制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，提供一生长衬底，在所述生长衬底上生长发光结构，在所述发光结构表面依次沉积P电极层和第一键合层；步骤二，提供一CMOS驱动晶圆，在所述CMOS驱动晶圆表面沉积第二键合层，并将所述第一键合层和所述第二键合层进行键合；步骤三，去除所述生长衬底及部分所述发光结构，对去除部分发光结构的外延层表面进行第一刻蚀，以形成若干独立的发光台面，在若干所述发光台面之间进行第二刻蚀，直至刻蚀至所述CMOS驱动晶圆表面，得到若干相互独立的微显示单元；步骤四，在若干所述微显示单元之间沉积绝缘介质层，其中，所述绝缘介质层填充的高度大于所述微显示单元的高度，以使得若干所述微显示单元被所述绝缘介质层覆盖；步骤五，对若干所述微显示单元之间的绝缘介质层进行刻蚀，使得若干所述微显示单元之间形成沟槽，在所述沟槽内填充导电材料，以得到导电沟槽；步骤六，在相邻的所述导电沟槽之间沉积导电金属，形成金属电极，得到目标微显示芯片，所述金属电极的轴线方向与所述导电沟槽的轴线方向垂直。
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权利要求：
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