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申请/专利权人：英特尔公司
摘要：描述了用于在选择性动态随机存取存储器DRAM设备内存储和存取元数据的技术。在一个示例中，一种双列直插式存储器模块DIMM包括多个动态随机存取存储器DRAM设备，其中多个DRAM设备中的每个DRAM设备包括管芯上ECC比特。所述多个DRAM设备中的至少一个包括用于提供存取以从所述DRAM设备的所述管芯上ECC比特读取和向所述DRAM设备的所述管芯上ECC比特写入的电路模块。所述DIMM包括一个或多个管脚，用于向所述DRAM设备的所述管芯上ECC比特传输元数据或从所述DRAM设备的所述管芯上ECC比特传输元数据。
主权项：1.一种双列直插式存储器模块DIMM，包括：多个动态随机存取存储器DRAM设备，其中，多个DRAM设备中的每个DRAM设备包括管芯上ECC比特，并且其中，所述多个DRAM设备中的至少一个DRAM设备包括用于提供存取以从所述DRAM设备的所述管芯上ECC比特读取以及向所述DRAM设备的所述管芯上ECC比特写入的电路模块；以及用于向所述DRAM设备的所述管芯上ECC比特传输元数据或从所述DRAM设备的所述管芯上ECC比特传输元数据的管脚。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 选择性动态随机存取存储器（DRAM）设备内元数据的存储和存取
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