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申请/专利权人：华北电力科学研究院有限责任公司;国家电网有限公司
摘要：本发明提供了一种IGBT器件内部寄生电感确定方法及装置，方法包括：根据预先建立的IGBT寄生参数模型，确定IGBT器件的外部端口参数；利用栅射极电压、栅极电流及所述集电极电流，确定栅极回路寄生电感表达式与共发射极侧寄生电感表达式；利用续流二极管电压、集电极电流及集射极电压，确定续流二极管极间寄生电感表达式与集射极寄生电感表达式，分别得到栅极回路寄生电感、共发射极侧寄生电感、续流二极管极间寄生电感及集射极寄生电感。本发明通过观测IGBT器件外部端口电压电流来估计器件内部寄生电感参数，不需要外部的阻抗测量装置，提高IGBT器件内部参数的计算准确度，从而保证IGBT器件安全运行。
主权项：1.一种IGBT器件内部寄生电感确定方法，其特征在于，所述方法包括：根据预先建立的IGBT寄生参数模型，确定IGBT器件的外部端口参数；其中，所述外部端口参数包括栅射极电压、栅极电流、集射极电压、续流二极管电压及集电极电流；利用所述栅射极电压、所述栅极电流及所述集电极电流，确定栅极回路寄生电感表达式与共发射极侧寄生电感表达式；利用所述续流二极管电压、所述集电极电流及所述集射极电压，确定续流二极管极间寄生电感表达式与集射极寄生电感表达式；根据所述栅极回路寄生电感表达式、共发射极侧寄生电感表达式、续流二极管极间寄生电感表达式与集射极寄生电感表达式，分别得到栅极回路寄生电感、共发射极侧寄生电感、续流二极管极间寄生电感及集射极寄生电感。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华北电力科学研究院有限责任公司 国家电网有限公司 IGBT器件内部寄生电感确定方法及装置
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