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申请/专利权人：甬矽半导体(宁波)有限公司
摘要：本发明的实施例提供了一种镭射印字路径规划方法和镭射装置，涉及镭射印刻技术领域。该镭射印字路径规划方法包括确定目标图案的镭射起始位置；依据所述起始位置，采用绕线式填充在所述目标图案内形成路径线条；调整所述路径线条的间距；沿调整间距后的所述路径线条进行镭射印刻。采用绕线式填充的方式可以将目标图案填充的更满、镭射效果更好；并且，采用绕线式填充的路径可以大大减少机台运行的空行程，镭射效率更高，节省大量的时间。
主权项：1.一种镭射印字路径规划方法，其特征在于，包括：将目标图案制作为空心图案；在空心图案的空心区域内确定目标图案的镭射起始位置；依据所述起始位置，采用绕线式从目标图案的边缘往中心的方向填充，在所述目标图案内形成路径线条；相邻两条路径线条之间的距离相等；优化局部的所述路径线条；判断相邻两段所述路径线条形成的转向角度，若所述转向角度小于或等于预设角度，则将两段所述路径线条断开预设距离；所述预设角度为10度至50度；从起始位置出发，在目标图案的空心区域内沿目标图案的边缘绕线一周，回到起始位置附近，绕线一周后的终点与起始位置的起点不重复，两点之间具有第一预设距离；判断所述目标图案的边缘是否有曲边，若所述目标图案的边缘有曲边，则将所述曲边处对应的局部所述路径线条修整为曲线，并将部分所述曲线的端点设置为断点；调整所述路径线条的间距；相邻两条所述路径线条之间的距离小于所述路径线条宽度的15%至25%；沿调整间距后的所述路径线条进行镭射印刻。
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权利要求：
百度查询： 甬矽半导体(宁波)有限公司 镭射印字路径规划方法和镭射装置
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